?!DOCTYPE html>
安阳?jng)中兴耐火材料有限责Q公司
联系人:(x)张经?/p>
手 机:(x)15803727089
地址Q河南省安阳县水冉东高q?/p>
(zhn)现在的位置Q?a href="http://m.allthroughthehouseky.com/" title="首页">首页 > 新闻资讯
半导体硅l构是一U重要的材料l构Q它在现代电(sh)子技术中扮演着重要的角艌Ӏ?a href="/product877915.html" target="_blank">半导体硅l构的特D性质使得它成Z(jin)刉电(sh)子器件的理想材料。半g结构的特点是它的导甉|介于导体和l缘体之间。在半导体硅l构中,?sh)子的能量带l构与导体和l缘体有所不同?/p>
在导体中Q电(sh)子的价带和导带重叠,因此?sh)子可以自由地在g中移动。而在l缘体中Qh(hun)带和导带之间存在很大的能隙,?sh)子无法通过q个能隙q行传导。而在半导体硅l构中,价带和导带之间的能隙比较?yu),因此电(sh)子可以通过q个能隙q行传导Q但是传导的能力比导体要差很多。半g结构的导电(sh)性可以通过掺杂来改变。掺杂是指在半导体硅l构中加入一些杂质原子,q些杂质原子?x)改变半g结构的?sh)子能带l构Q从而媄(jing)响其导电(sh)性。锂d甉|的容量决定于正极材料的活性锂d以及(qing)负极材料的可嵌脱锂能力,正负极在各种环境下的E_性决定电(sh)池的性能发挥Q甚至严重媄(jing)响电(sh)池的安全性,因此Q电(sh)极的性能在一定程度上军_?jin)锂d甉|的综合性能。媄(jing)响硅负极材料商业化大的障是在充放?sh)过E中较大的体U效应导致的材料_化失效。实验表明,引入W二l元形成体系能降低硅的体U膨胀pLQ利用活性元素或者非zL元素本w的一些特性,如金属g展性、成键特性等Q缓解硅在嵌脱锂q程中生的体积效应?/p>